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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	表面安装	引脚数	材料	终端数量	晶体管元件材料														Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																																						包装	JESD-609代码	零件状态	ECCN 代码	端子表面处理	附加功能	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	Reach合规守则	额定电流	引脚数量	JESD-30代码	操作模式	晶体管应用	上升时间	漏源电压 (Vdss)	极性/通道类型	JEDEC-95代码	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	脉冲漏极电流-最大值(IDM)	输入电容
BUZ73ALXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	600@5V	Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	通孔	TO-220AB	TO-220	Tab	3	10	4.4	9.25	通孔	150	-55	15	100	60	40	40000	630@25V	5.5	±20	200	1						Tube		Obsolete										3			Single														N
BSS159NE6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	3500@10V			Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Depletion	1	60	±20	0.23	2.2@5V	33@25V	360	9	2.9	9	3.1	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	Compliant			卷带		Obsolete										3			Single														N
SPN04N60S5XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	950@10V					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	0.8	17@10V	17	600@25V	1800	30	20	130	40	-55	150	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	Tab	SOT	SOT-223	Gull-wing		卷带		Obsolete										4			单排双泄														N
MTP1N100E	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	Si	3	SILICON	有	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	1000	±20	9000@10V	4	-55 to 150	1	100	10	14.6@10V	14.6	957	587@25V	12.2@25V	2	59	75000	34	12	28	9	-55	150	3	0.764	5.2	655	1	3	20	通孔	9.28(Max)	4.82(Max)	10.28(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220AB	通孔	FLANGE MOUNT	PLASTIC/EPOXY	未说明	150 °C	无	MTP1N100E	RECTANGULAR	安森美半导体	1	Obsolete	ON SEMICONDUCTOR	8.14	1 A		不合规	EAR99	8541.29.00.95	有		e0	Obsolete	EAR99	Tin/Lead (Sn/Pb)	雪崩额定	FET 通用电源	SINGLE	THROUGH-HOLE	未说明	not_compliant	3	R-PSFM-T3	不合格	Single	增强型MOSFET	DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	TO-220AB	1 A	9 Ω	3 A	1000 V	N	45 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	75 W
SPD08P06PT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	8.83	10@10V	10	335@25V	42000	14	46	48	16	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK		卷带		Unconfirmed										3			Single														P
MTP4N50E	ON Semiconductor	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	1500@10V					不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	4	27@10V	27	775@25V	75000	36	34	60	24	-55	150	通孔	9.27(Max)	4.57(Max)	10.54(Max)	3	Tab	TO-220	TO-220	Rail		Obsolete										3			Single														N
BSS139E6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	14000@10V			Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Depletion	1	250	±20	0.1	2.3@5V	60@25V	360	182	5.4	29	5.8	-55	150	表面贴装	1(Max)	1.3	2.9	3	SOT	SOT-23	Gull-wing	Compliant			卷带		Obsolete										3			Single														N
BSP295E6327NT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4	300@10V	Gull-wing	Non-Compliant					不合规	EAR99	8541.29.00.75	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	1.8	14@10V	14	295@25V	1800	19	9.9	27	5.4	-55	150	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	Tab	SOT	SOT-223	卷带		Unconfirmed										4			单排双泄														N
VMM1500-0075X2	IXYS Integrated Circuits Division / Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	5	SILICON	0.38@10V	Screw	62	110	7	Case Y3	MODULE-11	FLANGE MOUNT	UNSPECIFIED	未说明	150 °C	有	VMM1500-0075X2	RECTANGULAR	IXYS Corporation	2	Obsolete	IXYS CORP	5.74	MODULE	1560 A			Compliant	EAR99	Unknown	Unknown	功率MOSFET	Enhancement	2	75	±20	4	1560	3000	150	1950@10V	1950	115000@25V	880	1680	500	260	-40	175			Obsolete	EAR99			FET 通用电源	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	未说明	compliant		7	R-XXFM-X5	不合格	Dual	增强型MOSFET	ISOLATED	SWITCHING			N-CHANNEL			1560 A	0.00038 Ω			75 V	N	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
SPI16N50C3XKSA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	280@10V					Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	560	±20	16	66@10V	66	1600@25V	160000	8	8	50	10	-55	150	通孔	9.25	4.4	10	3	Tab	I2PAK	TO-262	通孔		Tube		Obsolete										3			Single														N
SPD30N06S2L23NT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	23@10V					不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	55	±20	30	52@10V	52	1725@25V	100000	13	14	8	7	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK				Obsolete										3			Single														N
BUK7227-100B,118	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	27@10V	2	Tab	DPAK						符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	有	Unknown	功率MOSFET	TrenchFET	Enhancement	1	100	20	48	37@10V	37	2092@25V	167000	20	99	50	18	-55	185	汽车	表面贴装	2.38(Max)	6.22(Max)	6.73(Max)	卷带		NRND										3			Single														N
SPB20N60S5-E3045A	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	190@10V	2	Tab	TO-263	D2PAK	Gull-wing						符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	600	±20	20	79@10V	79	3000@25V	208000	30	25	140	120	-55	150	表面贴装	4.4	9.25	10	卷带												3			Single														N
SPW17N80C3AXK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	290@10V	通孔						Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	CoolMOS	Enhancement	1	800	±20	17	88@10V	88	2300@100V	227000	12	15	72	25	-55	150	通孔	20.95	5.3	15.9	3	Tab	TO-247	TO-247	Tube												3			Single														N
SPD50N03S2L06XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6.4@10V			Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	50	52@10V	52	1900@25V	136000	24	19	35	8	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK				卷带		Obsolete										3			Single														N
BTS244ZE3062AT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13@10V	Enhancement	1	55	±20	2	35	100	1	85@10V	85	2130@25V	170000	25	70	40	15	-40	175	汽车						符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	卷带		活跃													Single														N
BSP170PE6327XT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4	300@10V	Gull-wing	Compliant					Compliant	EAR99	8541.29.00.75	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	1.9	10@10V	10	328@25V	1800	60	28	92	14	-55	150	表面贴装	1.6	3.5	6.5	3	Tab	SOT	SOT-223	卷带		Obsolete										4			单排双泄														P
SPB80N04S2H4T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	4@10V	111@10V	111	4430@25V	300000	35	36	46	14	-55	175						不合规	EAR99	8541.29.00.95	有	有	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	40	±20	80			Obsolete													Single														N
IPB085N06LGXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	8.2@10V	TO-263	D2PAK	Gull-wing						符合免除	EAR99	有	有	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	60	±20	80	78@10V	78	2600@30V	188000	18	19	53	10	-55	175	表面贴装	4.4	9.25	10	2	Tab	卷带		Obsolete										3			Single														N
BSO300N03SXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30@10V	Compliant	EAR99	无	无	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	1	30	±20	5.7	3.5@5V	450@15V	1560	1.6	2.2	9.3	2.3	-55	150	表面贴装	1.65(Max)	4(Max)	5(Max)	8	SOP	DSO	Gull-wing						卷带		Obsolete										8			单四漏三源														N
BSS209PWXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	[email protected]					Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	OptiMOS	Enhancement	1	20	±12	0.58	[email protected]	89.9@15V	520	4.5	5.8	7.6	4.4	-55	150	表面贴装	0.9(Max)	1.25	2	3	SOT	SOT-323	Gull-wing	-20 V	Compliant	卷带		Obsolete									-580 mA	3			Single				5.8 ns	20 V		580 mA					89.9 pF		P				无铅
BSS84PWXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	3	8000@10V					Compliant	EAR99	8541.21.00.95	有	Unknown	小信号	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	0.15	1@10V	1	15.3@25V	300	20.5	16.2	8.6	6.7	-55	150	表面贴装	0.9(Max)	1.25	2	3	SOT	SOT-323	Gull-wing	Compliant	卷带		Obsolete										3			Single														P
SPD08P06PXT	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	[email protected]					Compliant	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	SIPMOS	Enhancement	1	60	±20	8.83	10@10V	10	335@25V	42000	14	46	48	16	-55	175	表面贴装	2.3	6.22	6.5	2	Tab	TO-252	DPAK		卷带		Obsolete										3			Single														P
PSMN7R0-60YS,115	Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	6.4@10V	LFPAK						符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	TMOS	Enhancement	1	60	20	89	45@10V\|37.6@10V	45\|37.6	2712@30V	117000	12.6	20.3	37.9	19.9	-55	175	表面贴装	1.1(Max)	4.1(Max)	5(Max)	4	Tab	卷带		活跃										5			单一三源														N
BSO604NS2T	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	35@10V	8	8	52	9	-55	150	汽车						Compliant	EAR99	8541.29.00.95	功率MOSFET	OptiMOS	Enhancement	2	55	±20	5	19.7@10V	19.7	656@25V	2000	卷带		活跃													双排双泄														N